Здравствуйте.
Срисовываю z80, перевожу на Verilog. В процессе наткнулся на интересную вещь.
Вложение:
m5t5_20140413_0412_src.jpg [ 23.69 КБ | Просмотров: 16955 ]
Вложение:
m5t5_20140413_0412.jpg [ 26.24 КБ | Просмотров: 16955 ]
Цвета на картинке: диффузия - голубой, поликремний - фиолетовый, металлизация - зелёный (сигналы) и синий (GND). Голубой проводник в левом верхнем углу подключен к Vdd.
Фиолетовый поликремний пересекает голубую диффузию - транзистор. Получаем элемент 3-3И-2ИЛИ-НЕ из 7 транзисторов, в левом верхнем углу большой квадратный транзистор "подтяжки" выхода к Vcc.
Верхний из 6 транзисторов, затвор которого подключен ко второму справа зелёному сигнальному проводнику, совершенно не вписывается в логику работы. Совсем он её не портит, но влияет. Возник вопрос, может ли такое пересечение НЕ БЫТЬ транзистором, и, кажется, на этом форуме уже нашёл ответ viewtopic.php?p=19699#p19699
org писал(а):
-- 24 фев 2013, 18:32 --
В процессе стрима, в реальном времени связались с Quietust'ом и выяснили, что не всякое пересечение полисиликона по диффузии формирует транзистор.
Иногда получается так, что полисиликон проходит по диффузии безо всякого эффекта.
Это хорошо видно на картинке, которую прислал Q, там помечены места, где пересечение полисиликона формирует транзистор.
Какой при это происходит тех-процесс - не понятно. Возможно дополнительно индуцируется слой изоляции, который не даёт формироваться транзистору. Внешне, глядя на картинку, это никак не обнаружить. Q сказал что есть специальные "химикаты", которые позволяют явно проявить места, где транзисторы формируются, а где нет =)
В процессе стрима, в реальном времени связались с Quietust'ом и выяснили, что не всякое пересечение полисиликона по диффузии формирует транзистор.
Иногда получается так, что полисиликон проходит по диффузии безо всякого эффекта.
Это хорошо видно на картинке, которую прислал Q, там помечены места, где пересечение полисиликона формирует транзистор.
Какой при это происходит тех-процесс - не понятно. Возможно дополнительно индуцируется слой изоляции, который не даёт формироваться транзистору. Внешне, глядя на картинку, это никак не обнаружить. Q сказал что есть специальные "химикаты", которые позволяют явно проявить места, где транзисторы формируются, а где нет =)
Срисовано и разобрано уже пол-процессора, но такой "лишний" транзистор первый. Если это действительно так, и в остальной схеме я нигде не ошибся (а проверил уже много раз), то это вполне может быть той "закладкой" для защиты от копирования, про которую много слухов.
Кто-нибудь может прокомментировать?
